CLIENTES - ACCESO PRIVADO    Suscribirse a nuestras novedades (RSS)        
 
BÚSQUEDA:        Buscar
Libros nacionales y extranjeros para bibliotecas,
 
 
Búsqueda avanzada
Libros nacionales y extranjeros para bibliotecas, escuelas, universidades, librerías
     
         
  Arte
Astronomía
Botánica
Ciencia y conocimiento
Ciencias aplicadas / tecnología
Ciencias biológicas
Ciencias sociales
Economía
Filosofía
Física
Generalidades
Geografía
Geología
Historia
Infantil / juvenil
Informática
Ingeniería
Lingüística / filología
Literatura
Matemáticas
Material complementario
Medicina
Ocio
Paleontología / fósiles
Química
Religión y teología
Zoología
   
   
 
   
Los Andes Libros s.l. + 34 935 00 39 13
C/ Andalusia, 3 Local 5 - 08014 Barcelona
 
Nonlinear Transistor Model Parameter Extraction Techniques
Matthias Rudolph
Nonlinear Transistor Model Parameter Extraction Techniques
ean9780521762106
temáticaINGENIERÍA
año Publicación2011
idiomaINGLÉS
editorialCAMBRIDGE UNIVERSITY PRESS
formatoCARTONÉ


96,80 €


   PEDIR
 
NOVEDAD
 
Últimas novedades
ingeniería
Achieve accurate and reliable parameter extraction using this complete survey of state-of-the-art techniques and methods. A team of experts from industry and academia provides you with insights into a range of key topics, including parasitics, intrinsic extraction, statistics, extraction uncertainty, nonlinear and DC parameters, self-heating and traps, noise, and package effects. Learn how similar approaches to parameter extraction can be applied to different technologies. A variety of real-world industrial examples and measurement results show you how the theories and methods presented can be used in practice. Whether you use transistor models for evaluation of device processing and you need to understand the methods behind the models you use, or you want to develop models for existing and new device types, this is your complete guide to parameter extraction.
Finançat per UE